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根据观察，明白智作者构建了一个相应的模型，该模型能够对单层无定形碳的性质进行密度泛函理论计算。文献链接：国内Two-dimensionalhalideperovskitelateralepitaxialheterostructures.(Nature,2020,DOI:10.1038/ s41586-020-2219-7)15.Nature:通过自嵌入工程共价键结合的2D层状材料二维（2D）材料提供了一个独特的平台，国内可从该平台探索拓扑和多体现象的物理原理。

这个工作建立了自我嵌入作为一种方法，亲测起通过该方法可以生长具有化学计量或成分相关特性的新型2D材料。如果通过化学气相沉积或先进的合成有机方法进行，明白智则自下而上的高质量石墨烯合成通常会被限制为超少量，明白智或者如果在本体溶液中进行，则其将提供缺陷密集的结构。当使用高碳源（例如炭黑，国内无烟煤或煅烧焦炭）时，收率范围为80％至90％，碳纯度大于99％。

人们甚至认为从理论上讲，亲测起在诸如Cu（111）这样的高对称性表面上生长单晶hBN是不可能的。系统扫描透射电子显微镜研究表明，明白智近乎理想的vdW界面具有可广泛调节的莫尔超晶格。

因此，国内作者确立了θ紊乱作为一种非常规类型的紊乱的重要性，国内这种紊乱使得能够将扭曲角梯度用于带状结构工程，实现相关现象以及用于设备应用的门可调内置平面电场。

亲测起8作为二维材料老一辈网红的石墨烯开启了人们对二维材料的关注。与沉积的接触相比，明白智这个工作的范德华接触显示出降低了两到三个数量级的接触电阻，从而可以在较宽的温度范围内进行系统的输运性能研究。

然而，国内尽管对于钙钛矿的自旋电子学的光学研究进展令人振奋，但迄今为止，相关的输运研究在很大程度上一直受到不良接触的困扰。因此，亲测起制备高质量的接触对于可靠的自旋输运研究至关重要，可以充分释放此类独特材料的潜力。

【图文导读】图1.CsPbBr3单晶薄膜的表征a.在白云母上生长的CsPbBr3薄膜的X射线衍射图仅显示（00l）平面，明白智表明高度取向的生长b.CsPbBr3薄膜的（110）极图显示了四个极，明白智它们的等距间隔对应于{110}族的对称平面C.成膜后的大面积AFM图像，线轮廓显示了膜的厚度d.CsPbBr3薄膜表面形貌的3D图像以及相应的线轮廓图，突出显示了具有0.19nm小均方根粗糙度的超光滑表面e.CsPbBr3薄膜的光致发光光谱f.阳光直射下成膜的CsPbBr3薄膜和旋涂薄膜的照片图2.通过转移方法形成无损伤的vdW接触a.通过转移法得到接触的示意图b.在整个基板上转移的电极阵列的照片，允许在厘米级的钙钛矿薄膜上集成电极阵列c.钙钛矿薄膜上转移的金电极阵列的照片，以及具有2μm沟道长度的两端器件的特写照片d,e.钙钛矿薄膜上沉积的电极剥离前后的照片和光致发光图像f,g.钙钛矿薄膜上转移的电极剥离前后的照片和光致发光图像h.沉积和转移电极覆盖的区域在电极被剥离后的光致发光发射光谱i,j.具有沉积电极和vdW电极的CsPbBr3薄膜的横截面的扫描透射电子显微镜图像k,l.CsPbBr3薄膜横截面的高分辨率透射电子显微镜图像，其中沉积的电极显示出电极下方的无序界面（k），转移的电极显示出原子级锐利的界面（l）图3.vdW接触的性能a.通过vdW-contact方法制备的典型霍尔棒器件的照片b.在蓝色LED照明功率密度为18.8mW/cm2的情况下，具有沉积（蓝色）和vdW（红色）接触的器件的室温IVc.在各种温度下具有沉积接触和vdW接触的器件的接触电阻和沟道电阻的比较d,e.在各种光照强度下，室温（d）和3.5K（e）的vdW接触器件的IV特性f.vdW接触在不同温度下与照明功率有关的接触电阻图4.使用vdW接触探测钙钛矿的光电载流子动力学a.在不同温度下的电阻漂移，突出了室温下由施加偏压引起的离子运动，导致相当大的电阻漂移涂料企业需迎合消费需求做产品如今，国内涂料行业的暴利时代已经是完完全全的过去了，进入了微利时代。